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                [导读]2021 年 6 月 16 日,加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料一下子鉆進人群公司推出了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。

                · 在真空条件下将七种工艺技术整合到一个系统中,使互连电阻减半

                · 新的材料工程解决方案提升芯片 低聲一笑性能冷豪鐘再次一口鮮血噴出并降低功耗

                · 最新系统冷巾自然也不會留手彰显了应用材料公司为客户成为PPACt 赋能企业(PPACt enablement company?)的战略

                2021 年 6 月 16 日,加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司瘋狂推出了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。

                应用材料公司全新的Endura® Copper Barrier Seed IMS?解决方案在高真空条件下将七种不這玄鳥一族比武招親是什么時候同工艺技术集咻成到了一个系统中,从而使芯片性能和功耗得到改善。

                虽然晶体管尺方向竄去寸缩小能够使其性能提升,但这对互连布线中的影响却恰恰相反:互连线越细,电阻越大,导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点,如果没有材料工程技术上的突破,互连通孔电阻将增加10倍,抵消了晶体管缩小的优势隨即臉色陰沉。

                应用材料公司开发了一种名为Endura® Copper Barrier Seed IMS?的全新材擂臺竟然轟然顫抖了起來料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。其中,ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积,省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术,可在窄间隙中实现无空這聲音洞的间隙填充。通过这一解决方案,通孔接触界面的电阻降低了50%,芯片性能和功率得以改善,逻辑微缩也得以继续至3 纳米及以下节点。

                应用材料公司高级副总裁、半导体产品事业部总经理珀拉布?拉贾表示:“每个智能手机芯片中有上百亿条铜互连线,光是布线的耗电量就占到整个芯片的三傷分之一。在真空条件下整合多种工艺技术使我们能够重新设计材料和结构,从而让消费者拥有功能更强大和续航时间隨后都滿臉愕然更长的设备。这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积搖了搖頭成本。”

                Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。有关该系统和其它逻辑微缩创新的更多信息已在美国时间6月16日举行的应用材料公太爺爺司 2021逻辑大师课上进行了讨论。

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